FF1200R12KE3
IGBT Modules 1200V 1200A IGBT Module
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $1,157.363 | $1,157.36 |
30 | $1,110.429 | $33,312.87 |
在庫:3,906
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : FF1200R12KE3
-
パッケージ/ケース : IHM 130X140-10
-
ブランド : INFINEON
-
コンポーネントのカテゴリ : IGBT Modules
-
日付シート : FF1200R12KE3 データシート (PDF)
概要 FF1200R12KE3
IGBT Module 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | EUPEC GMBH & CO KG |
Package Description | MODULE-10 | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | Case Connection | ISOLATED |
Collector Current-Max (IC) | 1600 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 1200 V |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 Code | R-XUFM-X10 |
Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 10 |
Package Body Material | UNSPECIFIED | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Form | UNSPECIFIED | Terminal Position | UPPER |
Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Nom (toff) | 1140 ns |
Turn-on Time-Nom (ton) | 880 ns | Manufacturer | Infineon |
Product Category | IGBT Modules | RoHS | N |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 1.2 kA | Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
Pd - Power Dissipation | 5 kW | Package / Case | IHM 130X140-10 |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 125 C |
Brand | Infineon Technologies | Height | 38 mm |
Length | 140 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
Series | IGBT3 - E3 | Factory Pack Quantity | 2 |
Subcategory | IGBTs | Width | 130 mm |
Part # Aliases | SP000100572 FF1200R12KE3NOSA1 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、SF、UPS、または DHL.UPS、または DHL。
部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
類似商品
FF200R33KF2C
High-powered dual IGBT modules reaching 3300V and 200A
IRFF110
TO-205AF Enclosed IRFF110 for High-Performance Applications
IRFF430
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF430 with Hermetic Packaging Benefits
FF8MR12W2M1_B11
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
FF150R12RT4HOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray
FF400R06KE3
Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
IRFF9230
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
IRFF310
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF310 with Hermetic Packaging Benefits