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FQP6N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

在庫：8,061

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  • 部品番号 : FQP6N80C

  • パッケージ/ケース : TO-220-3

  • ブランド : onsemi

  • コンポーネントのカテゴリ : MOSFET

  • 日付シート : FQP6N80C データシート (PDF)

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概要 FQP6N80C

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

主な特長

  • 5.5A, 800V, RDS(on) = 2.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.75A
  • Low gate charge ( Typ. 21nC)
  • Low Crss ( Typ. 8pF)
  • 100% avalanche tested

応用

  • Other Industrial

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V Id - Continuous Drain Current 5.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.5 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 30 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 158 W Channel Mode Enhancement
Tradename QFET Series FQP6N80C
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 44 ns Forward Transconductance - Min 5.4 S
Height 16.3 mm Length 10.67 mm
Product Type MOSFET Rise Time 65 ns
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 47 ns Typical Turn-On Delay Time 26 ns
Width 4.7 mm Part # Aliases FQP6N80C_NL
Unit Weight 0.068784 oz

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    部品の品質保証: 365 日

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