• IRLMS2002TRPBF TSOP-6
IRLMS2002TRPBF TSOP-6

IRLMS2002TRPBF

Silicon N-channel MOSFET designed for switching applications with a maximum voltage of 20V and current of 6

在庫：9,211

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概要 IRLMS2002TRPBF

The IRLMS2002TRPBF from Infineon Technologies is a highly versatile dual N-channel MOSFET power transistor. With its compact SMD D2PAK package and low profile, it is a perfect choice for space-constrained applications. This transistor boasts a maximum drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 4.3A, making it suitable for handling moderate power loads in various electronic circuits. Its low on-resistance of 48mΩ at Vgs=4.5V and low gate threshold voltage of 1V contribute to minimizing power losses and improving efficiency in power conversion applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSOP-6
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V Id - Continuous Drain Current 6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 15 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 16 ns Forward Transconductance - Min 13 S
Height 1.1 mm Length 3 mm
Product Type MOSFET Rise Time 11 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Typical Turn-On Delay Time 8.5 ns Width 1.5 mm
Unit Weight 0.000705 oz

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IRLMS2002TRPBF

Silicon N-channel MOSFET designed for switching applications with a maximum voltage of 20V and current of 6

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