NAND256W3A2BN6E
SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8 12us 48-Pin TSOP Tray
在庫：6,407
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : NAND256W3A2BN6E
-
パッケージ/ケース : TFSOP-48
-
ブランド : Stmicroelectronics
-
コンポーネントのカテゴリ : Memory
-
日付シート : NAND256W3A2BN6E データシート (PDF)
概要 NAND256W3A2BN6E
FLASH - NAND Memory IC 256Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
主な特長
- HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
- – Up to 1 Gbit memory array
- – Up to 32 Mbit spare area
- – Cost effective solutions for mass storage applications
- NAND INTERFACE
- – x8 or x16 bus width
- – Multiplexed Address/ Data
- – Pinout compatibility for all densities
- SUPPLY VOLTAGE
- – 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V
- – 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V
- PAGE SIZE
- – x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
- – x16 device: (256 + 8 spare) Words
- BLOCK SIZE
- – x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
- – x16 device: (8K + 256 spare) Words
- PAGE READ / PROGRAM
- – Random access: 12µs (max)
- – Sequential access: 50ns (min)
- – Page program time: 200µs (typ)
- COPY BACK PROGRAM MODE
- – Fast page copy without external buffering
- FAST BLOCK ERASE
- – Block erase time: 2ms (Typ)
- STATUS REGISTER
- ELECTRONIC SIGNATURE
- CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
- – Simple interface with microcontroller
- SERIAL NUMBER OPTION
- HARDWARE DATA PROTECTION
- – Program/Erase locked during Power transitions
- DATA INTEGRITY
- – 100,000 Program/Erase cycles
- – 10 years Data Retention
- RoHS COMPLIANCE
- – Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive
- DEVELOPMENT TOOLS
- – Error Correction Code software and hardware models
- – Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms
- – File System OS Native reference software
- – Hardware simulation models
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Category | NAND Flash | RoHS | Details |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TSOP-48 |
| Series | NAND256-A | Memory Size | 256 Mbit |
| Interface Type | Parallel | Organization | 32 M x 8 |
| Timing Type | Asynchronous | Data Bus Width | 8 bit |
| Supply Voltage - Min | 2.7 V | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Current - Max | 20 mA | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | Active Read Current - Max | 20 mA |
| Architecture | Multiplane | Brand | STMicroelectronics |
| Memory Type | NAND | Moisture Sensitive | Yes |
| Product | NAND Flash | Product Type | NAND Flash |
| Speed | 50 ns | Standard | Not Supported |
| Factory Pack Quantity | 96 | Subcategory | Memory & Data Storage |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、SF、UPS、または DHL.UPS、または DHL。
部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
類似商品
NAND04GW3B2DN6E
High-speed data storage
MTFC32GAKAENA-4MIT
FLASH - NAND Memory IC 256Gbit MMC 100-TBGA (14x18)
NAND02GW3B2DN6E
V 2G-Bit 256M x 8 25us 48-Pin TSOP Tray
MTFC16GAKAENA-4M IT
Serial e-MMC 3.3V
MTFC8GACAANA-4M IT
MTFC8GACAANA-4M IT
NAND256W3A2BZA6E
FLASH - NAND Memory IC 256Mbit Parallel 50 ns 55-VFBGA (8x10)
NAND512R3A2SZA6E
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)
NAND512R3A2DZA6E
NAND Flash Parallel 1.8V 512M-bit 64M x 8 15us 63-Pin VFBGA Tray