SIHG20N50C-E3

Name: SIHG20N50C-E3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC

在庫：4,407

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N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Low figure-of-merit Ron x Qg

100 % avalanche tested

High peak current capability

dv/dt ruggedness

Improved Trr/Qrr

Improved gate charge

High power dissipations capability

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V	Id - Continuous Drain Current	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance	270 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	65 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	250 mW	Channel Mode	Enhancement
Brand	Vishay / Siliconix	Configuration	Single
Fall Time	44 ns	Forward Transconductance - Min	6.4 S
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	27 ns
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	32 ns
Typical Turn-On Delay Time	80 ns	Width	5.31 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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