BCR135E6327HTSA1

Name: BCR135E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

1-Element NPN Bipolar Transistor Designed for Small Signal Amplification, With 0.1A Collector Current and 50V Collector-Emitter Voltage

在庫：7,959

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部品番号 : BCR135E6327HTSA1
パッケージ/ケース : SOT23-3
ブランド : Infineon Technologies
コンポーネントのカテゴリ : Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
日付シート : BCR135E6327HTSA1 データシート (PDF)

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概要 BCR135E6327HTSA1

With a maximum power dissipation of 1.25 W and a wide junction temperature range of -55 to +150 degrees Celsius, the BCR135E6327HTSA1 can operate reliably in various temperature environments. This reliability ensures consistent performance and longevity in demanding electronic systems

主な特長

NPN Silicon RF Transistor
Frequency range up to 2 GHz
Low noise figure
High power gain
High transition frequency
Low distortion

応用

Electronics on the go
Home automation
Smart lighting

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	el.std. - - 1*3k
msl	1	halogenFree	no
customerInfo	STANDARD	fgr	680
productClassification	COM	productStatusInfo	discontinued
hfgr	R	packageName	SOT23
pbFree	yes	moistureProtPack	NON DRY
orderingCode	Q62702C2257	fourBlockPackageName	PG-SOT23-3-3
rohsCompliant	yes	opn	BCR135E6327HTSA1
docuNoCancellation	PD_234_23	completelyPbFree	yes
sapMatnrSali	SP000010765

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