SIHG47N60E-GE3

Name: SIHG47N60E-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

Unipolar N-MOSFET transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 30A

在庫：7,937

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N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V	Id - Continuous Drain Current	47 A
Rds On - Drain-Source Resistance	64 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	148 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	357 W	Channel Mode	Enhancement
Series	E	Brand	Vishay / Siliconix
Configuration	Single	Fall Time	82 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	72 ns
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	93 ns	Typical Turn-On Delay Time	28 ns
Unit Weight	0.211644 oz

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